電圧ゲイン0dB無帰還A級DCパワーアンプ 2016年2月

本機は低歪率・高電圧出力のハイブリッドプリアンプに接続するパワーアンプである。従来パワーアンプには20〜30dB(10〜30倍)の電圧ゲインを持たせていたが、プリアンプ側に通常より大きなゲインを受け持たせて、パワーアンプの電圧ゲインを0dB(1倍)に下げている。パワーアンプの電圧ゲインを0dBとすることでパワーアンプの回路構成や動作をシンプルなものとすることがきる。また、プリアンプ出力電圧を高くすることで、シールド線など伝送経路での信号電圧をより高くでき、よりクリアな音質を期待できる。

回路構成
初段にMOS−FETコンプリのバッファーを配し、終段を2段ダーリントン接続のコンプリメンタリ出力としている。電圧ゲインが0dBであるので、電源部も極めてシンプルな構成となっている。
全体回路
アンプ部回路

内部配線

歪率特性